Inženýři na Purdue University vyvinuli způsob, jak nově využít miliony tranzistorů, které obsahuje každý počítačový procesor, k souběžnému ukládání informací. Zkombinovali je s výkonnější technologií, než se dosud používá pro výrobu stávajících počítačových pevných pamětí RAM.
O vytvoření procesoru a paměti v jednom technici po celém světě usilovali několik posledních desetiletí. Dosud se nedařilo propojit paměťovou schopnost feroelektrického materiálu, jehož magnetickou polarizaci lze „překlápět“ působením elektrického pole, a křemíku, tedy polovodiče, ze kterého se vyrábějí tranzistory.
„Použili jsme alfa indium selenid, tedy polovodič s feroelektrickými vlastnostmi. Díky tomu se původně dvousložková soustava chová jako jednosložková, a navíc je z jednoho materiálu, tudíž odpadají dosavadní potíže se vzájemným propojením,“ uvedl jeden z vedoucích výzkumu Peide Ye.
Alfa indium selenid kromě feroelektrických vlastností vhodných pro ukládání informací vykazuje také dobrou vodivost elektrického proudu. Konvenční feroelektrické materiály se přitom chovají spíše jako izolanty než jako vodiče.
Prototyp sloučeného procesoru a paměti (na snímku) se údajně výkonnostně vyrovná kombinaci paměti RAM a procesoru vyráběných dosavadními technologiemi. Výzkumníci věří, že další optimalizací architektury nového procesoru dokážou zvýšit jeho výkon.
Svůj objev popsali v časopisu Nature Electronics. Výsledky svého výzkumu také v pondělí představili na výroční konferenci mezinárodního Institutu pro elektrotechnické a elektronické inženýrství.
